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IRFR014TRLPBF	文件：4.2849 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR014TRLPBF	文件：1.768 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR014TRLPBF	文件：1.92902 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR014TRLPBFA	文件：892.51 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR014TRLPBF-BE3AB	文件：892.51 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR014TRPBF	文件：1.768 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR014TRPBF	文件：4.2849 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFU014	文件：1.768 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU014	文件：287.41 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFU014	文件：172.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.20Ohm,Id=7.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFU014	文件：1.92902 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFU014	文件：4.2849 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU014	文件：345.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU014	文件：892.51 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRFR014,SiHFR014) ?Straightlead(IRFU014,SiHFU014) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU014A	文件：218.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=60V ?LowerRDS(ON):0.097?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU014A	文件：345.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR014TRLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFR014TRLPBF	Vishay Siliconix	24+	D-Pak	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市訊順達科技有限公司	IRFR014TRLPBF	TO-252	2030	VISHAY	16000	全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市安博威科技有限公司	IRFR014TRLPBF	VISHAY	21+	TO-252-3 (DPAK)	3000	原裝正品有掛有貨	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFR014TRLPBF	VISHAY/威世	24+	TO-252	31	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市華高宇電子有限公司	IRFR014TRLPBF	VISHAY	21+		6000	TO-252-3 (DPAK)	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR014TRLPBF	VISHAY	23+	TO-252-3 (DPAK)	6000	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFR014TRLPBF	VISHAY/威世	2021+	TO-252	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價
深圳市硅宇電子有限公司	IRFR014TRLPBF	Vishay(威世)	2249+	TO-252	61827	二十余載金牌老企研究所優(yōu)秀合供單位您的原廠窗口	詢價
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更多IRFR014TRLPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-26 14:14:00

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