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IRFR110TRRPBF	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFR110TRRPBF	文件：3.88858 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFRU110A	文件：255.25 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFU110	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU110	文件：60.03 Kbytes Page：7 Pages	4.7A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs 4.7A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuse	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU110	文件：3.88858 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU110	文件：321.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU110	文件：1.34537 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU110A	文件：256.82 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFU110A	文件：344.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU110PBF	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU110PBF	文件：3.88858 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU110PBF	文件：1.08078 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFU110PBF	文件：1.34537 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFY110	文件：15.6 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY110C	文件：15.6 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRLD110	文件：169.79 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLD110	文件：1.51091 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLD110PBF	文件：1.74406 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLD110PBF	文件：1.51091 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR110TRRPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	IRFR110TRRPBF	IR/進口原	17+	TO-252	6200		詢價
深圳市鵬和科技有限公司	IRFR110TRRPBF	IR/進口原	24+	TO-252	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRFR110TRRPBF	IR	20+	TO-252	38560	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IRFR110TRRPBF	VISHAY	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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深圳市威爾健半導體有限公司	IRFR110TRRPBF	IR	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFR110TRRPBF	IR	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導體(深圳)有限公司	IRFR110TRRPBF	IR	21+	TO-252	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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