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IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	Enhanced Body Diode dV/dt Capability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFN40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60B	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST?IGBT LightspeedSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60C	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features InternationalstandardpackagesJEDECTO-247andsurfacemountableTO-268 Highcurrenthandlingcapability LatestgenerationHDMOS?process MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGM40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR40N60B	文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTMIGBT(ElectricallyIsolatedBackside)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR40N60C	文件：262.17 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXKC40N60C	文件：57.6 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETISOPLUS220 Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●2NDgenerationCoolMOSpowerMOSFET -Highblockingcapability -Lowonresistance -Avalancheratedforunclampedinductive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKN40N60	文件：117.89 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKN40N60C	文件：117.89 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKR40N60	文件：46.82 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247Package CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247?Package N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,HighVDSSMOSFET PackagewithElectricallyIsolatedBase Features ●ISOPLUS247packagewithDCBBase -Electricalisolationtowardstheheatsink -Lowcouplingcapacitancetotheheatsinkfor	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFPS40N60K
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 40 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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