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IRFI9634G	文件：120.46 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=1.0ohm, Id=-4.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinati	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9634G	文件：850.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9634G	文件：261.57 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9634G_V01	文件：261.57 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI9634GPBF	文件：362.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinati	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9634GPBF	文件：850.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
L9634	文件：997.5 Kbytes Page：36 Pages	SQUIBRESISTANCEMEASUREMENT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MAX9634	文件：1.086 Mbytes Page：6 Pages	CurrentSenseAmplifierPerformanceComparison	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
MAX9634	文件：283.46 Kbytes Page：11 Pages	1μA,4-BumpUCSP/SOT23,PrecisionCurrent-SenseAmplifier	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9634	文件：580.71 Kbytes Page：7 Pages	MAXNANOPWRBD#EvaluationKit	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9634EVKIT	文件：1.08604 Mbytes Page：4 Pages	ProvenPCBLayout	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9634EVKIT+	文件：1.08604 Mbytes Page：4 Pages	ProvenPCBLayout	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9634FERS+	文件：283.46 Kbytes Page：11 Pages	1μA,4-BumpUCSP/SOT23,PrecisionCurrent-SenseAmplifier	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9634FERS+	文件：1.1075 Mbytes Page：9 Pages	nanoPower,4-BumpUCSP/SOT23,PrecisionCurrent-SenseAmplifier	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFI9634G
功能描述：
MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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更多IRFI9634G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 14:00:00

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