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IRFL024NPBF	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5m? ID=5.1A Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NPBF	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NPBF_15	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NTR	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NTRPBF	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5m? ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5m? ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZTRPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignedwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：1.04466 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024	文件：321.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR024	文件：1.06651 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRFR024,SiHFR024) ?Straightlead(IRFU024,SiHFU024) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024	文件：853.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheIRFR024NTusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=60VID=30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR024A	文件：320.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR024N	文件：178.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=17A??	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFL024NPBF
功能描述：
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFL024NPBF	Infineon(英飛凌)	23+	SOT-223	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFL024NPBF	IR	2020+	SOT223	80	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFL024NPBF	Infineon	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFL024NPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRFL024NPBF	IR	23+	SOT-223	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRFL024NPBF	IR	2020+	SOT223	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IRFL024NPBF	International Rectifier	2022+		380	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRFL024NPBF	IR	24+		65230		詢價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	IRFL024NPBF	IR	23+	SOT-223	3022	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRFL024NPBF	IR	14+PBF	SOT-223	18000	現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRFL024NPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 15:57:00

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