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IRFI634G	文件：297.18 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI634G	文件：1.11891 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI634G	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI634GPBF	文件：1.11891 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI634G_V01	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI634GPBF	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS634	文件：886.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
IRFS634	文件：270.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS634A	文件：344.44 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedPowerMOSEFT	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFS634A	文件：59.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS634B	文件：859.54 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS634B	文件：896.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS634B	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFW634B	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
L634	文件：469.74 Kbytes Page：10 Pages	THREEPHASEMOTORDRIVER DESCRIPTION TheL6234isatriplehalfbridgetodriveabrushlessmotor. ItisrealizedinMultipowerBCDtechnologywhichcombinesisolatedDMOSpowertransistorswithCMOSandBipolarcircuitsonthesamechip. Byusingmixedtechnologyithasbeenpossibletooptimizethelogiccircuitryan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L634	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules ?LowProfile ?7DifferentCircuitstoChoosefrom ?DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom
L634F	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules ?LowProfile ?7DifferentCircuitstoChoosefrom ?DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom
LB-634	文件：312.44 Kbytes Page：2 Pages	PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
LB634P	文件：189.33 Kbytes Page：4 Pages	EnclosedIsolators3,4,6and8Poles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
LU634	文件：143.02 Kbytes Page：4 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLU634isa1-FormBsolidstaterelayina4pinSMDpackagethatemploysopticallycoupledMOSFET technologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.Theopticallycoupledinputiscontrolledbya highlyefficientGaAlAsinfraredLEDandMOSFETsontheoutputside.	LETEXLETEX technology corp 臺(tái)灣麗太麗太科技股份有限公司	LETEX

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFI634G
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	IRFI634G	IR	05+	原廠原裝	11016	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFI634G	IR	2016+	TO-220F	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFI634G	IR	24+	TO-220FullPak(Iso)	8866		詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFI634G	IR	23+	TO-220F	35890		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFI634G	IR	24+	原廠封裝	324	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFI634G	IR	23+	TO-220F	11200	全新原裝	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFI634G	IR	24+	TO-220F	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFI634G	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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深圳兆威電子有限公司	IRFI634G	IR	23+	TO220	50	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

更多IRFI634G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 10:32:00

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