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IRFF121中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFF121
廠商型號

IRFF121
功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors
文件大小

165.85 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡稱

GESS

中文名稱

GE Solid State
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-18 17:21:00

IRFF121規(guī)格書詳情

5.0A and 6.0A, 60V-100V rDS(0n) = 0.30Ω and 0.40Ω

Features:

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanosecond switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFF121

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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