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IRFF112中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFF112
廠(chǎng)商型號(hào)

IRFF112

功能描述

Power MOS Field-Effect Transistors

文件大小

176.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 GE Solid State
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

GESS

中文名稱(chēng)

GE Solid State

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 17:06:00

IRFF112規(guī)格書(shū)詳情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFF112

  • 制造商:

    GESS

  • 制造商全稱(chēng):

    GESS

  • 功能描述:

    Power MOS Field-Effect Transistors

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