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IRFF110中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFF110
廠商型號

IRFF110
功能描述

Power MOS Field-Effect Transistors
文件大小

176.97 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡稱

GESS

中文名稱

GE Solid State
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-2 23:15:00

IRFF110規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRFF110

  • 制造商：

    International Rectifier

  • 功能描述：

    Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39

  • 功能描述：

    TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 3PIN TO-39 - Bulk

  • 功能描述：

    N CH MOSFET 100V 3.5A TO-20

  • 功能描述：

    MOSFET N TO-39

  • 功能描述：

    MOSFET, N, TO-39

  • 功能描述：

    N CH MOSFET, 100V, 3.5A, TO-205AF; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    3.5A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    100V; On Resistance

  • Rds(on)：

    600mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    4V ;RoHS

  • Compliant：

    No

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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