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IRFF110中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFF110
廠商型號

IRFF110

功能描述

Power MOS Field-Effect Transistors

文件大小

176.97 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 GE Solid State
企業(yè)簡稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-2 19:35:00

IRFF110規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

? SOA is Power Dissipation Limited

? Nanosecond Switching Speeds

? Linear Transfer Characteristics

? High Input Impedance

? Majority carrier device

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFF110

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 3PIN TO-39 - Bulk

  • 功能描述:

    N CH MOSFET 100V 3.5A TO-20

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-39

  • 功能描述:

    MOSFET, N, TO-39

  • 功能描述:

    N CH MOSFET, 100V, 3.5A, TO-205AF; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    3.5A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    100V; On Resistance

  • Rds(on):

    600mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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