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IRFI634	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI634B	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI634G	文件：297.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI634G	文件：1.11891 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI634G	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI634GPBF	文件：1.11891 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI634GPBF	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS634	文件：886.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
IRFS634	文件：270.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS634A	文件：344.44 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedPowerMOSEFT	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFS634A	文件：59.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS634B	文件：859.54 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS634B	文件：896.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS634B	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFW634B	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
L634	文件：469.74 Kbytes Page：10 Pages	THREEPHASEMOTORDRIVER DESCRIPTION TheL6234isatriplehalfbridgetodriveabrushlessmotor. ItisrealizedinMultipowerBCDtechnologywhichcombinesisolatedDMOSpowertransistorswithCMOSandBipolarcircuitsonthesamechip. Byusingmixedtechnologyithasbeenpossibletooptimizethelogiccircuitryan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
L634	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules ?LowProfile ?7DifferentCircuitstoChoosefrom ?DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom
L634F	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules ?LowProfile ?7DifferentCircuitstoChoosefrom ?DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom
LB-634	文件：312.44 Kbytes Page：2 Pages	PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
LB634P	文件：189.33 Kbytes Page：4 Pages	EnclosedIsolators3,4,6and8Poles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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詳細參數(shù)

型號：
IRF634STRRPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRF634STRRPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導體產品-原裝正品	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IRF634STRRPBF	VISHAY	1809+	TO-263	1675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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