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IRF644NLPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRF644NPBF	文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRF644NS	文件：123.93 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=240mohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF644NSPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644NSTRL	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRF644NSTRR	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644NSTRRPBF	文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644PBF	文件：1.64378 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644PBF	文件：154.67 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644S	文件：219.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=14A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswtiching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivieness. ●SurfaceMount ●AvailableinTape&Reel ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF644S	文件：186.97 Kbytes Page：8 Pages	Availableintapeandreel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644SPBF	文件：3.37253 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswtiching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivieness. ●SurfaceMount ●AvailableinTape&Reel ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF644SPBF	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644STRLPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF644STRRPBFA	文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI644	文件：174.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=7.9A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRF644NLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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