国产av综合一区二区三区,国产福利一区二区三区在线观看

首頁 >IRF520NLPBF>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF520NLPBF	文件：405.26 Kbytes Page：10 Pages	Advamced {rpcess Technology Surface Mount Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NLPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FAST SWITCHING	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NPBF	文件：178.07 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NPBF	文件：1.69112 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF520NS	文件：185.16 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NS	文件：1.09122 Mbytes Page：10 Pages	Low-profilethrough-hole(IRF520NL) Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowin	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF520NS	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NS	文件：188.95 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF520NS	文件：2.66307 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF520NSPBF	文件：405.26 Kbytes Page：10 Pages	Advamced{rpcessTechnologySurfaceMount Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FASTSWITCHING	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSTRLPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSTRR	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520PBF	文件：224.76 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520PBF	文件：135.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF520S	文件：173.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF520S	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF520SPBF	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF520V	文件：200.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VL	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
IRF520NLPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	IRF520NLPBF	IR	24+	TO-262-3	128		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF520NLPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRF520NLPBF	IR	23+	TO-262-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IRF520NLPBF	INFINEON	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IRF520NLPBF	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF520NLPBF	Infineon Technologies	22+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRF520NLPBF	Infineon Technologies	21+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
深圳市藍山航業(yè)科技有限公司	IRF520NLPBF	ir	24+		500000	行業(yè)低價,代理渠道	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF520NLPBF	Infineon Technologies	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	IRF520NLPBF	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務	詢價

更多IRF520NLPBF供應商更新時間2024-10-26 16:30:00

詳細參數(shù)

相關規(guī)格書

相關庫存