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IRF530SPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530SPBF	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530SPBF	文件：1.83154 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530STRLPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRLPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRRPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRRPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI530A	文件：263.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI530A	文件：274.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI530G	文件：171.73 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530G	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI530G	文件：319.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI530G	文件：1.47008 Mbytes Page：7 Pages	SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm DESCRIPTION TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications.Themoldingcompoundusedprovidesahighisolationcapabilityandalowthermalresistancebetweenthetabandexternalheatsink.Thisisolationisequivalenttousinga1	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI530G	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI530GPBF	文件：937.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI530GPBF	文件：282.19 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI530N	文件：133.48 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530NPBF	文件：227.95 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530NPBF	文件：506.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFI530NPBF	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRF530SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF530SPBF	Vishay(威世)	23+	標(biāo)準封裝	9048	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF530SPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市安博威科技有限公司	IRF530SPBF	VISHAY	21+	TO-263-3 (D2PAK)	1700	原裝正品有掛有貨	詢價
深圳市華高宇電子有限公司	IRF530SPBF	VISHAY	19+/22+		4200	TO-263-3 (D2PAK)	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF530SPBF	VISHAY	23+	TO-263-3 (D2PAK)	3950	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價
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深圳寶隆芯業(yè)科技有限公司	IRF530SPBF	IR	23+	TO263	56000	公司只做原裝,支持訂貨,誠信經(jīng)營	詢價
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更多IRF530SPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-26 20:00:00

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