首頁(yè) >IPB200N25N3>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載&訂購(gòu)功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

IPB200N25N3

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3-G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB200N25N3G_10

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI200N25N3

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI200N25N3-G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP200N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP200N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP200N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP200N25N3-G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IPB200N25N3

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-263
1524
原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持
詢價(jià)
原裝
24+
標(biāo)準(zhǔn)
44198
熱賣原裝進(jìn)口
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-263
12316
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
詢價(jià)
INFINEON
21+
TO-263
8230
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO263-3
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
22+
TO263-3
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
TO263-3
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
INFINEON英飛凌
22+
TO-263
10000
詢價(jià)
更多IPB200N25N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 8:12:00