首頁(yè) >IPB200N25N3>規(guī)格書列表
零件編號(hào) | 下載&訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
IPB200N25N3 | OptiMOS3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
OptiMOS3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSTM3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSTM3Power-Transistor Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
OptiMOSTM3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOSTM3Power-Transistor Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Id | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS3Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
IPB200N25N3
- 功能描述:
MOSFET N-channel POWER MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-263 |
1524 |
原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持 |
詢價(jià) | ||
原裝 |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn) |
44198 |
熱賣原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-263 |
12316 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
8230 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO263-3 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
22+ |
TO263-3 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO263-3 |
6000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON英飛凌 |
22+ |
TO-263 |
10000 |
詢價(jià) |
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