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IPP200N25N3中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPP200N25N3
廠商型號(hào)

IPP200N25N3

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

319.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-23 13:00:00

IPP200N25N3規(guī)格書詳情

FEATURES

· Drain Current -ID=64A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

·Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPP200N25N3

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 250V 64A OptiMOS3 TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON
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