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IHW40N60R	文件：2.06634 Mbytes Page：15 Pages	Reverse conducting IGBT	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RF	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RF	文件：794.56 Kbytes Page：12 Pages	powerful monolithic body diode with low forward voltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RF_15	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RFFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 80A 305W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60T	文件：383.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?TrenchStop? andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60T	文件：385.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW40N60DTP	文件：1.54248 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60B	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST?IGBT LightspeedSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60C	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features InternationalstandardpackagesJEDECTO-247andsurfacemountableTO-268 Highcurrenthandlingcapability LatestgenerationHDMOS?process MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGM40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IHW40N60R
功能描述：
IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IHW40N60R	IR	2020+	TO-247	22000	全新原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IHW40N60R	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	13753	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。	詢價(jià)
深圳市龍瀚電子有限公司	IHW40N60R	INFINEO	16+	TO-247	36000	原裝正品,優(yōu)勢(shì)庫存81	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IHW40N60R	INFINEON/英飛凌	15+	TO-247	300	進(jìn)口原裝假一賠十支持含稅	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IHW40N60R	INFINEON	24+	TO-247	4000	原裝原廠代理可免費(fèi)送樣品	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IHW40N60R	Infineon(英飛凌)	23+	NA	7000	工廠現(xiàn)貨!原裝正品!	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IHW40N60R	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IHW40N60R	INF	2020+	TO-247	300	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IHW40N60R	INFINEON	2016+	TO-247	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IHW40N60R	INFINEON		TO247	17432	提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴	詢價(jià)

更多IHW40N60R供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 11:03:00

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