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IHW40N65R5

Trench Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@VGE=15V,IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·SolarConverters ·WeldingConverters ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IHW40N65R5

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N65R5

high ruggedness and stable temperature behavior

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N65R5_15

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW40N65R5XKSA1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 80A TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHFW40N65R5S

Reverse-ConductingIGBTinTRENCHSTOPTM5technologywithmonolithicbodydiodeinfullyisolatedpackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IHW40N65R5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-15 17:55:00

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