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IKW40N60DTP	文件：1.54248 Mbytes Page：16 Pages	600V DuoPack IGBT and diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW40N60DTPXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGH40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60B	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST?IGBT LightspeedSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60C	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features InternationalstandardpackagesJEDECTO-247andsurfacemountableTO-268 Highcurrenthandlingcapability LatestgenerationHDMOS?process MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGM40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS?process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGR40N60B	文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTMIGBT(ElectricallyIsolatedBackside)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXKC40N60C	文件：57.6 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETISOPLUS220 Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●2NDgenerationCoolMOSpowerMOSFET -Highblockingcapability -Lowonresistance -Avalancheratedforunclampedinductive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKN40N60	文件：117.89 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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更多IKW40N60DTP供應(yīng)商更新時間2024-12-28 16:18:00

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