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FMP12N50E	文件：515.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP12N50ES	文件：539.33 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV12N50E	文件：445.95 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV12N50E	文件：313.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMV12N50ES	文件：546.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FQB12N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB12N50	文件：617.23 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI12N50	文件：617.23 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFBL12N50A	文件：123.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFA12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiperFET Polar?PowerMOSFETHiperFET? N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA12N50P	文件：332.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH12N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching HiPerRF?PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N50F	文件：372.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM12N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=500mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiperFET Polar?PowerMOSFETHiperFET? N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50PM	文件：114.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar?PowerMOSFETHiPerFET?(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Plasticovermoldedtabforelectricalisolation ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easyt	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching HiPerRF?PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FMP12N50E
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華斯頓科技有限公司	FMP12N50E	FUJI原裝	22+23+	TO-220	23266	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	FMP12N50E	FUJI原裝	24+	TO-220	9860	一級(jí)代理	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	FMP12N50E	FUJI	2020+	TO-220	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	FMP12N50E	FUJI	23+	TO-220F	30000	代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	FMP12N50E	FUJI	21+	TO-220	6305	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	FMP12N50E	F	23+	TO-220AB	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FMP12N50E	FUJITSU/富士通	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FMP12N50E	FUJITSU/富士通	2022+	TO-220	32500	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FMP12N50E	TH/韓國太虹	2048+	TO-220	9851	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	FMP12N50E		FUJI原裝	TO-220	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)

更多FMP12N50E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 16:50:00

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