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FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs and bipolar transistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGA30N60LSDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G30N60	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G30N60	文件：105.22 Kbytes Page：7 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：191.86 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwith TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G30N60	文件：92.78 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：100.45 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolar	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
G30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
HIA30N60BP	文件：663.24 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH30N60BP	文件：643.46 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
ICE30N60W	文件：958.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE30N60W	文件：589.91 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
IGB30N60T	文件：465.76 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
FGA30N60LSDTU
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，30A
開關(guān)能量：
1.1mJ（開），21mJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
18ns/250ns
測試條件：
400V，30A，6.8 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
描述：
IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3P

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	FGA30N60LSDTU	FAIRCHILD/仙童	24+	TO3P	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	FGA30N60LSDTU	onsemi/安森美	新批次	TO-3P	4500		詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGA30N60LSDTU	onsemi(安森美)	23+	TO-3P	928	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FGA30N60LSDTU	Fairchild	23+	TO-3P	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FGA30N60LSDTU	Fairchild	24+		94		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FGA30N60LSDTU	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FGA30N60LSDTU	FAI	2018+	TO3P	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	FGA30N60LSDTU	FAIRCHILD	22+23+	TO3P	14423	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	FGA30N60LSDTU		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市興燦科技有限公司	FGA30N60LSDTU	ON/安森美	24+	TO-3P-3	25500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售	詢價

更多FGA30N60LSDTU供應(yīng)商更新時間2024-12-22 16:36:00

產(chǎn)品屬性

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