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FGB20N60SFD	文件：433.75 Kbytes Page：9 Pages	600V, 20A Field Stop IGBT GeneralDescription Usingnovelfield-stopIGBTtechnology,Fairchild’snewseriesoffield-stopIGBTsofferstheoptimumperformanceforautomotivechargers,inverters,andotherapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?Highcurrentcapability ?Lowsat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH20N60SFD	文件：796.47 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild?’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH20N60SFDTU	文件：797.47 Kbytes Page：9 Pages	Highcurrentcapability,Highinputimpedance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FGH20N60SFDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH20N60SFDTU	文件：812.21 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop600V,20A Description UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,ONSemiconductor’s newseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformancefor AutomotiveChargers,Inverter,andotherapplicationswherelow conductionandswitchinglossesareessential. Features ?HighCurrentCapability ?LowS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGH20N60UF	文件：282.25 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH20N60UFD	文件：821.12 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild?’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH20N60UFDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH20N60UFDTU	文件：282.25 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild?’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGP20N60UFD	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?Highcurrentcapability ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGP20N60UFDTU	文件：746.29 Kbytes Page：9 Pages	600V,20AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,Fairchild’snewseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformanceforInductionHeating,UPS,SMPSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?Highcurrentcapability ?Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FIR20N60AFG	文件：2.33058 Mbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
FIR20N60FG	文件：4.36088 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
FML20N60	文件：787.87 Kbytes Page：7 Pages	20Amps600VoltageNChannelMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
FQP20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
FQPF20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
FTW20N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
G20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: ??-parallelswitchingcapability ??-moderateEoffincreasewithtemperature ??-	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
HIA20N60BP	文件：664.05 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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詳細參數(shù)

型號：
FGB20N60SFD
功能描述：
IGBT 晶體管 600V 20A Field Stop
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	FGB20N60SFD	FAIRCHILD	19+	TO263	18985		詢價
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	FGB20N60SFD	onsemi/安森美	新批次	D2PAK	4500		詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGB20N60SFD	onsemi(安森美)	23+	D2PAK	1471	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
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更多FGB20N60SFD供應商更新時間2024-10-23 16:04:00

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