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MTD20P06HDL

TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20P06HDL

P??hannel DPAK Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20P06HDLT4

P??hannel DPAK Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20P06HDLT4G

P??hannel DPAK Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD20P06HDLT4G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NP20P06SLG

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP20P06SLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP20P06SLG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NP20P06SLG

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP20P06YLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=47m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64m?MAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70m?MAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MTD20P06HDL

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 功能描述：

    MOSFET P LOGIC D-PAK

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更多MTD20P06HDL供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 16:04:00

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