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ME20P06	文件：985.5 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：988.41 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20P06HDL	文件：91.91 Kbytes Page：8 Pages	P??hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTD20P06HDL	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	Motorola Motorola, Inc	Motorola
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：988.13 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP20P06SLG	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NP20P06YLG	文件：126.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=47m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64m?MAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70m?MAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTD20P06HD	文件：987.97 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD20P06L	文件：260.04 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NTD20P06L	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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NTD20P06LG	文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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更多ME20P06供應商更新時間2024-10-27 15:14:00

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