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APT35GN120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GN120BG

Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT35GN120BG

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 94A 379W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT35GN120B

UtilizingthelatestNon-PunchThrough(NPT)FieldStoptechnology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120B

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GN120S

UtilizingthelatestNon-PunchThrough(NPT)FieldStoptechnology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120SG

UtilizingthelatestNon-PunchThrough(NPT)FieldStoptechnology

MicrosemiMicrosemi Corporation

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT35GN120BG

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,35A

  • 開關(guān)能量:

    2.315mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    24ns/300ns

  • 測試條件:

    800V,35A,2.2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 1200V 94A 379W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT35GN120BG供應(yīng)商 更新時間2024-10-31 14:14:00