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APT35GN120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GN120BG

Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120BG

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 94A 379W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT35GN120B

UtilizingthelatestNon-PunchThrough(NPT)FieldStoptechnology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120B

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GN120S

UtilizingthelatestNon-PunchThrough(NPT)FieldStoptechnology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GN120SG

UtilizingthelatestNon-PunchThrough(NPT)FieldStoptechnology

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT35GN120BG

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    2.315mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    24ns/300ns

  • 測試條件：

    800V，35A，2.2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 1200V 94A 379W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT35GN120BG供應(yīng)商 更新時間2024-10-31 14:14:00

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