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APT50GN60BDQ2G

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT50GN60BDQ2G

Resonant Mode Combi IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2G

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 107A 366W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT50GN60BDQ2

ResonantModeCombiIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BDQ2

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT50GN60BDQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1185μJ(開),1565μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20ns/230ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 107A 366W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Microsemi
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IGBT
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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MICROSEMI/美高森美
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多APT50GN60BDQ2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-24 9:18:00