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APT35GP120BG

POWER MOS 7? IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120BG

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GP120BG

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 96A 543W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT35GP120B

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT35GP120J

POWERMOS7IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

BSM35GP120

TechnischeInformation/TechnicalInformation

eupec

eupec GmbH

BSM35GP120G

ElectricalpropertiesIGBT-Modules

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT35GP120BG

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 7?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,35A

  • 開關(guān)能量:

    750μJ(開),680μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    16ns/94ns

  • 測試條件:

    600V,35A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 1200V 96A 543W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT35GP120BG供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 14:04:00