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APT36GA60BD15

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60BD15

IGBT

DESCRIPTION ·FastswitchingwithlowEMI ·Lowconductionloss ·Lowgatecharge APPLICATIONS ·Welding ·UPS,solar,andotherinverters ·Highfrequency,highefficiencyindustrial

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT36GA60BD15

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60BD15

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT36GA60BD15

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT36GA60BD15

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 8?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    307μJ(開),254μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    16ns/122ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 600V 65A 290W TO-247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Microchip Technology
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多APT36GA60BD15供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 14:14:00