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APT35GA90BD15

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GA90BD15

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT35GA90BD15

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT35GA90BD15

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 900V 63A 290W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT35GA90BD15

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.1V @ 15V，18A

  • 開關(guān)能量：

    642μJ（開），382μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    12ns/104ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，18A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 900V 63A 290W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Microchip Technology
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TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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TO247 [B]
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多APT35GA90BD15供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-26 15:07:00

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