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APT43GA90B

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT43GA90B

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT43GA90B

Power Semiconductors Power Modules

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APT43GA90B

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 900V 78A 337W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT43GA90BD30

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 900V 78A 337W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT43GA90S

HighSpeedPTIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT43GA90B

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 8?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,25A

  • 開關能量:

    875μJ(開),425μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    12ns/82ns

  • 測試條件:

    600V,25A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 900V 78A 337W TO-247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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公司只售原裝,支持實單
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更多APT43GA90B供應商 更新時間2025-1-21 15:00:00