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APT50GN60BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BG

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT50GN60BG

Resonant Mode Combi IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BG

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60BG

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 107A 366W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT50GN60B

ResonantModeCombiIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60B

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT50GN60S

ResonantModeCombiIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GN60SG

ResonantModeCombiIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT50GN60BG

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    1185μJ（開），1565μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    20ns/230ns

  • 測試條件：

    400V，50A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 107A 366W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
APT
TO-247
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6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
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全新原裝優(yōu)勢
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原裝正品
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20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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TO-247
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TO-247B
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更多APT50GN60BG供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 9:38:00

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