APT30GP60B2DLG_分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單-美高森美

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廠家型號：
APT30GP60B2DLG
制造商：
MICROSEMI/美高森美
庫存數量：
0
類別：
分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單
封裝外殼：
TO-247-3
包裝：
管件
安裝類型：
通孔
更新時間：
2025-1-1 9:04:00

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原廠料號：APT30GP60B2DLG品牌：Microsemi Corporation

資料說明：IGBT 600V 100A 463W TMAX

APT30GP60B2DLG是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROSEMI/美高森美生產封裝TO-247-3的APT30GP60B2DLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
apt30gp60b2dlg
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
MICROSEMI【美高森美】詳情
廠商全稱：
Microsemi Corporation
中文名稱：
美高森美公司
資料說明：
IGBT 600V 100A 463W TMAX

產品屬性

類型
描述
產品編號：
APT30GP60B2DLG
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
PT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，30A
開關能量：
260μJ（開），250μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
13ns/55ns
測試條件：
400V，30A，5 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
T-MAX?
描述：
IGBT 600V 100A 463W TMAX

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