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RJH1CF4RDPQ-80#T2_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Renesas Electronics America Inc

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原廠料號：RJH1CF4RDPQ-80#T2品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

RJH1CF4RDPQ-80#T2是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-247-3的RJH1CF4RDPQ-80#T2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    rjh1cf4rdpq-80%23t2

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RJH1CF4RDPQ-80#T2

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，20A

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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