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APT30GP60B2DLG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

APT30GP60B2DLG參考圖片

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原廠(chǎng)料號(hào)：APT30GP60B2DLG品牌：MICROSEMI

原裝正品

APT30GP60B2DLG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROSEMI/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝TO-247-3的APT30GP60B2DLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    APT30GP60B2DLG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng)：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    219.74 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Resonant Mode Combi IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT30GP60B2DLG

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    260μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    13ns/55ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    T-MAX?

  • 描述：

    IGBT 600V 100A 463W TMAX

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    唐先生 陳小姐 張先生

  • 手機(jī)：

    15989868387

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83768631/83265778/83268559

  • 地址：

    廣東省深圳市南山區(qū)前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟2層

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