首頁(yè)>熱銷(xiāo)型號(hào)第146頁(yè)>APT30GS60BRDLG>詳情

APT30GS60BRDLG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-美高森美

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原廠(chǎng)料號(hào)：APT30GS60BRDLG品牌：Microsemi Corporation

資料說(shuō)明：IGBT 600V 54A 250W TO247

APT30GS60BRDLG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝TO-247-3的APT30GS60BRDLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    apt30gs60brdlg

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng)：

    美高森美公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 54A 250W TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT30GS60BRDLG

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.15V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    570μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    16ns/360ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，9.1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 54A 250W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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