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APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT100GN60B2G

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT100GN60B2G

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT100GN60B2G

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 229A 625W TMAX

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT100GN60B2

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT100GN60B2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    4.7mJ（開），2.675mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    31ns/310ns

  • 測試條件：

    400V，100A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROSEMI
638
原裝正品
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KIA
23+
TO-220F
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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Microsemi
1942+
N/A
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原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
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MICROSEMI
1809+
SMD
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Microsemi Corporation
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Microsemi Corporation
21+
13880
公司只售原裝,支持實單
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Microchip
21+
15000
只做原裝
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APT
23+
T-MAX
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
Microsemi Corporation
2022+
-
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
更多APT100GN60B2G供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 9:04:00

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