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APT102GA60B2

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT102GA60B2

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT102GA60B2

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT102GA60B2

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 183A 780W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT102GA60B2

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 8?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，62A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.354mJ（開(kāi)），1.614mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    28ns/212ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，62A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 600V 183A 780W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MICROSEMI
16+
NA
8800
原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)
 詢(xún)價(jià)
Microsemi
24+
TO
3500
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI
2020+
原廠封裝
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI
22+
原廠原封
8200
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!!
 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI
638
原裝正品
 詢(xún)價(jià)
Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI
2023+
80000
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
SOT-363
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢(xún)價(jià)
APT
23+
T-MAX
10000
公司只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
Microsemi Corporation
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
更多APT102GA60B2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 10:00:00

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