APT100GN60B2G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-微芯科技

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原廠(chǎng)料號(hào):APT100GN60B2G品牌:Microchip Technology

資料說(shuō)明:IGBT 600V 229A 625W TMAX

APT100GN60B2G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROCHIP/微芯科技生產(chǎn)封裝TO-247-3 變式的APT100GN60B2G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    apt100gn60b2g

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    MICROCHIP【微芯科技】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    Microchip Technology

  • 中文名稱(chēng):

    微芯科技股份有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT100GN60B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,100A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    4.7mJ(開(kāi)),2.675mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    31ns/310ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,100A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

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