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APT100GN60B2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠家型號(hào)：

    APT100GN60B2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    MICROSEMI/美高森美

  • 庫存數(shù)量：

    326

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMD

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    1809+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2021-9-14 10:50:00

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原廠料號(hào)：APT100GN60B2G品牌：MICROSEMI

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  • 芯片型號(hào)：

    APT100GN60B2G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    44 頁

  • 文件大?。?/span>

    9860.83 kb

  • 資料說明：

    Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT100GN60B2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    4.7mJ（開），2.675mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    31ns/310ns

  • 測試條件：

    400V，100A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 600V 229A 625W TMAX

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科雨電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    盧小姐

  • 手機(jī)：

    17147290036

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    171-4729-0036

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2418室

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