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AQV410EH	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機電(中國)有限公司	NAIS

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