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AF8958C	文件：155.57 Kbytes Page：4 Pages	P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
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AF8958CSA	文件：155.57 Kbytes Page：4 Pages	P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
AF8958CSL	文件：155.57 Kbytes Page：4 Pages	P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
AF8958CSLA	文件：155.57 Kbytes Page：4 Pages	P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
AM8958	文件：536.26 Kbytes Page：10 Pages	NPPAIRENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM8958istheN&P-Channelenhancement modepowerfieldeffecttransistorusinghighcell densityDMOStrenchtechnology.Thishighdensity processisespeciallytailoredtominimizeon-state resistanceandprovidesuperiorswitching performance.Thisdeviceisparticularly	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM8958C	文件：243.35 Kbytes Page：8 Pages	P&N-Channel32-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
CEC8958A	文件：951.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 30V,21A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. -30V,-16A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. RDS(ON)=77mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM8958	文件：835.36 Kbytes Page：9 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ●30V,5.3A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V. -30V,-4.0A,RDS(ON)=65mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandin	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM8958	文件：2.91216 Mbytes Page：8 Pages	P-ChanelandN-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEM8958A	文件：427.18 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,6.8A,RDS(ON)=28m?@VGS=10V. RDS(ON)=42m?@VGS=4.5V. ■-30V,-4.8A,RDS(ON)=58m?@VGS=-10V. RDS(ON)=85m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabili	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM8958A	文件：834.82 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 30V,6.8A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. FEATURES RDS(ON)=42mW@VGS=4.5V. -30V,-5.4A,RDS(ON)=45mW@VGS=-10V. RDS(ON)=80mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM8958B	文件：934.92 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 30V,6.8A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. FEATURES RDS(ON)=42mW@VGS=4.5V. -30V,-4.5A,RDS(ON)=65mW@VGS=-10V. RDS(ON)=95mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM8958JPT	文件：551.26 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT7Ampere P-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT5.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomoto	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
FDS8958	文件：233.48 Kbytes Page：8 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDS8958	文件：587.09 Kbytes Page：9 Pages	NP-ChannelMOSFET Features N-Channel VDS(V)=30V ID=7A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDS8958A	文件：587.09 Kbytes Page：9 Pages	NP-ChannelMOSFET Features N-Channel VDS(V)=30V ID=7A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDS8958A	文件：526.11 Kbytes Page：8 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrenchOMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDS8958A	文件：362.45 Kbytes Page：11 Pages	DualNandP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThesedualN-andP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateressitanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. F	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDS8958A	文件：804.01 Kbytes Page：8 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AF8958C
制造商：
ANACHIP
制造商全稱：
Anachip Corp
功能描述：
P & N-Channel 30-V(D-S) MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多AF8958C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 10:29:00

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