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CEC8958A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

CEC8958A
廠商型號(hào)

CEC8958A

功能描述

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

文件大小

951.6 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-6-12 20:00:00

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CEC8958A規(guī)格書詳情

FEATURES

30V, 21A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 45mW @VGS = 4.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

RoHS compliant.

-30V, -16A, RDS(ON) = 46mW @VGS = -10V.

RDS(ON) = 77mW @VGS = -4.5V.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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24+
NA/
1000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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原裝正品,假一罰十!
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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