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71V256SA12YG

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12YG

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256SA12YG8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12YGI

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12YGI8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V256SA12YGI

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256SA12YGI8

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V256SA12YPZG

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V256SA12YPZGI

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V256SA12PZ

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES ?Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ?Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V256SA12YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
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