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71V256SA12YG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V256SA12YG |
參數(shù)屬性 | 71V256SA12YG 封裝/外殼為28-BSOJ(0.300",7.62mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
功能描述 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
封裝外殼 | 28-BSOJ(0.300",7.62mm 寬) |
文件大小 |
190.09 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-14 17:38:00 |
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71V256SA12YG規(guī)格書詳情
Features
◆ Ideal for high-performance processor secondary cache
◆ Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)
temperature range options
◆ Fast access times:
– Commercial and Industrial: 12/15/20ns
◆ Low standby current (maximum):
– 2mA full standby
◆ Small packages for space-efficient layouts:
– 28-pin 300 mil SOJ
– 28-pin TSOP Type I
◆ Produced with advanced high-performance CMOS
technology
◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible
◆ Single 3.3V(±0.3V) power supply
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
71V256SA12YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
12ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
28-BSO |
8600 |
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詢價(jià) | ||
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2015+ |
SOJ |
3526 |
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詢價(jià) | ||
IDT |
22+ |
NA |
580 |
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詢價(jià) | ||
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2021+ |
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