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71V416S15YG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YG

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S15YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S15YGI8

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V416S15BEG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15BEGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    71V416S15YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Integrated Device Technology (
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IDT, Integrated Device Technol
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更多71V416S15YG供應商 更新時間2025-4-12 9:50:00

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