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71V416S15YG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YG

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S15YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S15YGI8

Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V416S15BEG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15BEGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V416S15YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Integrated Device Technology (
2022+
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更多71V416S15YG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 9:53:00

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