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70T3509MS133BP

HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BP

包裝：托盤 封裝/外殼：256-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPG

HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPGI

HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPI

HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeatfeatures ◆Inter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPG

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPG8

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPGI

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPGI8

HIGH-SPEED 2.5V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3509MS133BPGI

包裝：托盤 封裝/外殼：256-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3509MS133BPI

包裝：托盤托盤 封裝/外殼：256-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70T3509MS133BP

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲容量：

    36Mb（1M x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70T3509MS133BP供應(yīng)商 更新時間2024-11-20 13:02:00

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