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6N10L-TN3-R	文件：147.61 Kbytes Page：4 Pages	6 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N10L-TN3-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N10L-TND-R	文件：223.3 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N10Z	文件：197.84 Kbytes Page：4 Pages	6.5Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
FIR6N10LTG	文件：8.05172 Mbytes Page：7 Pages	GenerALDescription	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HLDD6N10	文件：1.01927 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HLDD6N10	文件：723.84 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HM6N10	文件：688.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM6N10R	文件：593.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LMTM6N10	文件：930.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MTD6N10	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR,N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE,DPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrealydrivers.	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD6N10	文件：345.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD6N10E	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD6N10E	文件：211.53 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.400OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP6N10	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N10	文件：172.33 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	Motorola Motorola, Inc	Motorola
PHD6N10E	文件：70.04 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHP6N10E	文件：53.42 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PJD6N10A	文件：402.59 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@3A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD6N10A	文件：401.65 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	6N10L-TN3-R	U	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	6N10L-TN3-R	UTC/友順	2022+	TO-252	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢(xún)價(jià)
深圳龐田科技有限公司	6N10L-TN3-R	UTC/友順	2023+	TO-252	50000	AI智能識(shí)別、工業(yè)、汽車(chē)、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢(xún)價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	6N10L-TN3-R	UTC/友順	2022+	TO-252	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市恒諾芯科技有限公司	6N10L-TN3-R		2322+	NA	33220	無(wú)敵價(jià)格主銷(xiāo)品牌正規(guī)渠道訂貨免費(fèi)送樣!!!	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	6N10L-TN3-R	UTC/友順	20+	TO-252	32500	現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝	詢(xún)價(jià)
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	6N10L-TND-T	UTC/友順	23+	TO252D	100000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢(xún)價(jià)
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更多6N10L供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:05:00

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