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2SB1182

Medium power Transistor(-32V, -2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR?FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

Medium Power Transistor

■Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V ●Complementaryto2SD1758

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SB1182

PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS PbLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SB1182

Medium power transistor (-32V, -2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1758. Applications Mediumpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SB1182

Medium power transistor (-32V, -2A)

●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?Smallandslimpackage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Powerdissipation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1182

Medium power transistor (32V, 2A)

Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

Medium Power Transistor

FEATURES ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1758 APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SB1182

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES *Highcurrentoutputupto3A *Lowsaturationvoltage

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1182

Medium power transistor (32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complements2SD1758/2SD1862.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

Medium power transistor (32V, 2A)

Mediumpowertransistor(?32V,?2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=?0.5V(Typ.) (IC/IB=?2A/?0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182

TO-252-2L(4R) Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerDissipation

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SB1182

Medium power Transistor(32V,2A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1182D

PNP Silicon General Purpose Transistor

FEATURES The2SB1182DXisdesignedformediumpoweramplifierapplication Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(Typ.) RoHSCompliantProduct

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1182G-X-TN3-R

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES *Highcurrentoutputupto3A *Lowsaturationvoltage

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1182G-X-TN3-T

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES *Highcurrentoutputupto3A *Lowsaturationvoltage

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1182L-X-TN3-R

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1182isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. FEATURES *Highcurrentoutputupto3A *Lowsaturationvoltage

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB1182

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號(hào)：

    2SB837,2SB928,2SB1274,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    NO

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    10

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SB1182

  • 制造商：

    WEITRON

  • 制造商全稱：

    Weitron Technology

  • 功能描述：

    PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ROHM
2016+
TO252
4291
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
ROHM/羅姆
21+
TO-252
6000
原裝正品
 詢價(jià)
RHOM
24+
TO-252
4690
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
CJ/長(zhǎng)電
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
NK/南科功率
TO-252
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低
 詢價(jià)
ROHM
24+
TO-252
8700
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢價(jià)
ROHM
04+
SOT252
4370
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ROHM
23+
TO-252
35890
詢價(jià)
ROHM
948
2198
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
ROHM
2339+
SOT-252
4231
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
更多2SB1182供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 22:58:00

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