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2SB1182分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SB1182
廠商型號(hào)

2SB1182

參數(shù)屬性

2SB1182 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 32V 2A DPAK

功能描述

Medium power transistor (-32V, -2A)

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

153.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-31 20:55:00

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2SB1182規(guī)格書詳情

● Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = -0.5V (Typ.)

(IC / IB = -2A / -0.2A)

2) Complements the 2SD1766 /

2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /

2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.

● Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SB1182-Q-TP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    82 @ 500mA,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 2A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
21+
TO-252ROHM
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
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