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2SB1182分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SB1182
廠商型號

2SB1182
參數(shù)屬性

2SB1182 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 32V 2A DPAK
功能描述

Medium power Transistor(-32V, -2A)
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

93.7 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM【羅姆】

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 18:40:00

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1182

  • 別名：

    2SB1182三極管、2SB1182晶體管、2SB1182晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    2SB837,2SB928,2SB1274,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    10

2SB1182規(guī)格書詳情

● Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = -0.5V (Typ.)

(IC / IB = -2A / -0.2A)

2) Complements the 2SD1766 /

2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /

2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.

● Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SB1182-Q-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    800mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    82 @ 500mA，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 2A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ROHM
06+
TO-252
1358
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
CJ(江蘇長電/長晶)
23+
TO252
6000
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤
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ROHM/羅姆
2310+
TO252
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優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
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20+
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32970
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