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2N6038 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS DESCRIPTION The2N6037,2N6038and2N6039aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTo-126plasticpackage. ThecomplementaryPNPtypesarethe2N6034,2N6035and2N6036respectively. | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
2N6038 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2N6034/6035/6036 ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeamplifier andlow-speedswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6038 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2N6034/6035/6036 ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeamplifier andlow-speedswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6038 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6038 | SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifier&LowSpeedSwitchingApplications. | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | |
2N6038 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors PlasticDarlingtoncomplementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V ?EpoxyMeetsUL94V?0@0.125in ?Pb?FreePa | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6038 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6038 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6038 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6038 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD263,BD677,BD777,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
40
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6038
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO126-3 |
358 |
詢價(jià) | |||
ST |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-126 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
22+ |
TO126 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | |||
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-225AA |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
23+ |
TO126 |
4000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) | |||
MOT |
2023+ |
TO-126 |
8700 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
24+ |
TO-225AA TO-126-3 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) |
